Samsung Galaxy S9 avrà un SoC realizzato con processo produttivo a 7 nm

Samsung Galaxy S9 avrà un SoC realizzato con processo produttivo a 7 nm

Di recente il responsabile di Samsung LSI, ovvero Heo Kuk, ha lanciato una notizia davvero impressionante che ha lasciato tutti a bocca aperta. Samsung Galaxy S9 sarà dotato di processore realizzato con processo produttivo a 7 nanometri. La notizia ha lasciato davvero di stucco perché se ci pensate sul mercato non sono nemmeno arrivati i primi prodotti a 10nm che si pensa già allo step successivo.

Samsung Galaxy S9 avrà un SoC realizzato con processo produttivo a 7 nm

Ovviamente qualsiasi chip realizzato con processi produttivi “contenuti” presenta dei significativi vantaggi rispetto a chip molto più grandi. La prima nota positiva è che certamente a parità di potenza elaborativa il SoC più piccolo è capace di scaldare molto meno. La prima causa dei rallentamenti dei nostri device è infatti il calore. Quando il dispositivo scalda è perché il processore è sotto sforzo.

Di conseguenza per evitare di far salire troppo la temperatura il SoC diminuisce la frequenza elaborativa andando a diminuire di fatto la potenza dello stesso. Samsung Galaxy S9 però con questa nuova soluzione non dovrebbe soffrire in alcun modo di problemi di questo tipo. Per ora il limite teorico a cui si potrebbe arrivare continuando ad utilizzare il silicio sono i 5nm. Siamo quindi davvero molto vicini al limite del possibile.